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    金貝爾分享:FT-IR用于碳化硅(SiC)研究、開發和質量控制

    更新時間:2022-04-01      點擊次數:1623

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    碳化硅(SiC)已成為工業電子領域最重要的寬禁帶半導體之一,由于其高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優勢,特別是對于功率半導體器件,碳化硅優于硅,更受青睞。

    成熟的商用碳化硅器件如碳化硅肖特基二極管和MOSFETs(金屬氧化物半導體場效應晶體管),這些器件已應用于鐵路、工業逆變器、航空航天、可再生能源風力渦輪機或光伏發電,以及電動或混合動力汽車等領域。企業和研究機構仍在致力于SiC相關的研究開發工作,如進一步發展的“綠色”項目,用于太陽能汽車的移動太陽能收集系統等。

     

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    SiC與其他半導體材料的性能比較

    在SiC材料的研究與開發中,傅立葉變換紅外光譜技術(FT-IR)是一種簡單而有效的研究其各種性能的工具。它可以用于測定摻雜濃度、外延層厚度或聲子光譜,對晶體結構和質量提供有價值的信息。基于傅立葉變換紅外的光致發光光譜技術(FT-PL)可以提供額外的信息,如能帶結構和電荷載流子的細節。透射光譜技術可以研究半導體的帶隙、激子和其他電子特性。此外,碳化硅雜質和缺陷分析也是材料開發和質量控制的重要步驟。

     

    布魯克(Bruker)公司的VERTEX和INVENIO系列研究級傅立葉變換紅外光譜系統,可以覆蓋從FIR到VIS/UV的寬光譜范圍,擁有優良的步進掃描技術和出色的性能,可選真空光學臺,是上述許多應用的分析系統。
    布魯克公司幾十年以來一直支持半導體研發,并將為可再生能源和其他與可持續發展有關的領域做進一步貢獻,使世界變得更美好。
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